- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SUD35N10-26P-T4GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD35N10-26P-T4GE3
- 商品编号
- C5932049
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W；8.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
在一个封装中集成了一个N沟道MOSFET和一个肖特基势垒二极管。低导通电阻RDS(ON)和低正向压降VF
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 初级侧开关
- SUP70040E-GE3
- SUP70101EL-GE3
- SXT11411BB17-27.120M
- SUF268J001
- SXT11411BB27-24.000M
- SUFR9520
- SXT11411BB38-32.000M
- SUS100512B
- SUS101215C
- SUS10123R3C
- SXT11411CA27-24.000M
- SUS102412C
- SUS10243R3C-G
- SXT11411CA38-25.000M
- SUS104812B
- SXT11411CB16-26.000M
- SXT11411CB17-27.000M
- SUS1R50515C
- SXT11411CB27-27.000M
- SUS1R54812B
- SXT11411CB38-25.000M