STQ1HN60K3-AP
1个N沟道 耐压:600V 电流:400mA
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STQ1HN60K3-AP
- 商品编号
- C5909896
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款SuperMESH3功率MOSFET是在SuperMESH技术基础上改进,并结合全新优化垂直结构的成果。该器件具有极低的导通电阻、出色的动态性能和高雪崩能力,适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 栅极电荷极小
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用