STI40N65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:32A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI40N65M2
- 商品编号
- C5909824
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.355nF |
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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