商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.355nF |
商品概述
这些器件是采用MDmeshTM M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用