商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 直流电流增益(hFE) | 5000 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V |
商品概述
STD01N和STD01P是内置驱动器和温度补偿二极管的增强型达林顿晶体管。采用三垦独特的薄晶圆生产技术制造，这些器件通过降低热阻实现了更高的功率水平，并且比市场上同类器件能承受更高的电压。 温度补偿二极管与功率晶体管集成在同一芯片上。通过这种设计，STD01N和STD01P消除了在热源处进行热感应与补偿电路运行之间可能产生的延迟。因此，这些晶体管非常适合需要增强热稳定性的应用。
商品特性
- 内置温度补偿二极管
- 小封装（TO - 3P）可处理高功率（100 W），减少散热片需求
- 内置驱动器和温度补偿二极管，减少外部元件数量并简化电路设计
- 有NPN和PNP两种类型
- 发射极端子对称放置，NPN型号的引脚5和PNP型号的引脚1，成对使用时可在PCB上相邻放置，以最小化走线长度和输出偏差
- 获得主要制造商认可
应用领域
- 通用放大器应用
- 专业音频放大器
- 汽车音频放大器