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S34MS02G100BHI000

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: S34MS02G100BHI000
商品编号: C5905024
商品封装: BGA-63(9x11)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.622克(g)

商品参数

商品特性

密度：1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
架构：
- 输入/输出总线宽度：8 - bits / 16 - bits
- 页面大小：
  - x8 = 2112 (2048 + 64) bytes；64 bytes 是备用区域
  - x16 = 1056 (1024 + 32) words；32 words 是备用区域
- 块大小：64 Pages
  - x8 = 128k + 4k bytes
  - x16 = 64k + 2k words
- 平面大小：
  - 1 Gbit / 2 Gbit：1024 Blocks per Plane
    - x8 = 128M + 4M bytes
    - x16 = 64M + 2M words
  - 4 Gbit：2048 Blocks per Plane
    - x8 = 256M + 8M bytes
    - x16 = 128M + 4M words
- 设备大小：
  - 1 Gbit：1 Plane per Device or 128 Mbyte
  - 2 Gbit：2 Planes per Device or 256 Mbyte
  - 4 Gbit：2 Planes per Device or 512 Mbyte
NAND Flash 接口：
- 开放 NAND Flash 接口 (ONFI) 1.0 兼容
- 地址、数据和命令复用
电源电压：1.8V 设备：VCC = 1.7V ~ 1.95V
安全：
- 一次性可编程 (OTP) 区域
- 电源转换期间硬件编程/擦除禁用
附加功能：
- 2 Gb 和 4 Gb 部件支持多平面编程和擦除命令
- 支持回写编程
- 2 Gb 和 4 Gb 部件支持多平面回写编程
- 支持读取缓存
电子签名：制造商 ID: 01h
工作温度：
- 工业：-40℃ 到 85℃
- 汽车：-40℃ 到 105℃

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	工作电压	1.7V~1.95V
	页写入时间(Tpp)	250us

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	-40℃~+85℃