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S2M0080120D
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:41A
- 描述
- S2M0080120D是一款采用TO - 247AD封装的单碳化硅（SiC）功率MOSFET。该器件为高压n沟道增强型MOSFET，总传导损耗极低，且在极端温度条件下开关特性非常稳定。S2M0080120D非常适合在严苛环境下对能量敏感的高频应用
- 品牌名称
- SMC(桑德斯)
- 商品型号
- S2M0080120D
- 商品编号
- C5904995
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 耗散功率(Pd) | 231W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.324nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 74pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |