商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可控硅输出光耦 | |
| 可控硅类型 | 双向可控硅 | |
| 过零功能 | 有 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向电流 | 15mA | |
| 负载电压 | - | |
| 静态dv/dt | 500V/us | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -30℃~+100℃ |
商品特性
- 高重复峰值关态电压（VDRM：最小值800V）
- 低最小触发电流（IFT：最大值3mA）
- 内部绝缘距离：0.5mm及以上
- 长爬电距离类型（爬电距离：8mm及以上）
- 内置过零电路
- 输入输出间高隔离电压（Viso：5000Vms）
- 通过UL档案编号E64380认证；通过BSI认证，编号6690、7421；通过SEMKO认证，编号9843099；通过DEMKO认证，编号308207；也可选CDIN - VDE 0884认证型号（S21ME8Y/S21ME8FY）；通过VDE认证，编号77294
应用领域
- 用于触发中/高功率双向可控硅
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