商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置栅源保护二极管。
- 小型表面贴装封装(TSMT3)。
应用领域
- 开关
- S-1333D16-M5T1U3
- S-1333D18-A4T2U3
- S-1333D19-A4T1U3
- S-1333D23-M5T1U3
- S-1333D33-M5T1U3
- S-1333D34-M5T1U3
- S-1335A11-A4T2U3
- S-1335A15-A4T2U3
- S-1335A15-N4T1U3
- S-1335A1C-N4T1U3
- S-1335A1J-A4T2U3
- S-1335A25-A4T2U3
- RY2-2012-26-1012-D
- S-1335A26-A4T2U3
- RY2-2012-26-5024
- S-1335A27-A4T2U3
- RY2-2012-26-5120
- S-1335A27-N4T1U3
- RY2KS-UAC120V
- S-1335A33-N4T1U3
- S-1335B12-A4T2U3