SN74ALS236N
SN74ALS236N
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74ALS236N
- 商品编号
- C5901010
- 商品封装
- PDIP-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FIFO存储器 | |
| 存储容量 | 64x4 | |
| 时钟频率(fc) | 30MHz | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作电流 | 145mA | |
| 访问时间 | 22ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能 | 异步 | |
| 总线方向 | 单向 | |
| 可编程标志支持 | 无 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 输出使能 |
商品概述
SN74ALS236是一款采用先进低功耗肖特基IMPACT™技术的256位存储器,具有高速和快速下落时间的特点,结构为64字×4位。先进先出(FIFO)存储器是一种允许数据以独立的数据速率写入和读出存储阵列的存储设备。SN74ALS236设计用于以位并行格式逐字处理最高30 MHz速率的数据。数据在移位输入(SI)的上升沿写入存储器。当SI变为低电平时,第一个数据字传送到输出。随着FIFO被填满,数据字按照写入顺序堆叠。当FIFO已满时,额外的移位输入脉冲不会产生影响。数据在移位输出(SO)输入的下降沿从存储器中移出。当FIFO为空时,额外的SO脉冲不会产生影响。最后一个数据字会保持在输出端,直到有新字输出或复位(RST)变为低电平。SN74ALS236 FIFO存储器的状态由输出就绪(OR)和输入就绪(IR)标志监控。当OR为高电平时,输出端存在有效数据。当SO为高电平时OR为低电平,并且FIFO为空时OR保持低电平。当IR为高电平时,输入已准备好接收更多数据。当SI为高电平时IR为低电平,并且FIFO已满时IR保持低电平。当FIFO为空时,SI变为低电平后输入数据会自动移位到输出。如果在此期间SO保持高电平,OR标志会输出高电平脉冲,表示输出端存在有效数据。当FIFO已满时,通过保持SI为高电平、拉低SO可自动移入数据。SO变低一个传播延迟后,IR变为高电平。如果IR变为高电平时SI仍然为高,输入端的数据会被自动移入。由于FIFO已满且SI为高时IR通常为低,因此仅在IR输出上会看到一个高电平脉冲。FIFO在上电后必须通过主复位(RST)输入的低电平脉冲进行复位。这会将IR置为高电平、OR置为低电平,表示FIFO为空。复位FIFO会将输出设置为低逻辑电平。如果RST变为高电平时SI为高,输入数据会被移入,IR变为低电平并保持低电平直到SI变为低电平。如果SI在RST变为高电平之前变为低电平,输入数据不会被移入,IR变为高电平。数据输出相对于数据输入为非反相。SN74ALS236的工作温度范围为0℃ 至 70℃。
商品特性
- 异步操作
- 结构为64字×4位
- 最高数据速率可达30 MHz
- 三态输出
- 提供多种封装选项,包括塑料小外形封装(DW)、塑料J引线芯片载体(FN)和标准塑料300密耳双列直插封装(N)
- SQW-106-01-L-D-VS-K
- SN74ALS574BDBR
- SQW-106-01-L-D-VS-TR
- SQW-107-01-L-D-VS-004-K
- SN74AS151NS
- SQW-107-01-LM-D-VS
- SN74AS32NS
- SN74AVCA406DGG
- SN74BCT244DB
- SQW-108-01-F-D-VS-TR
- SN74BCT25244DB
- SN74LS148NS
- SQW-108-01-LM-D-VS-A-014-TR
- SQW-109-01-F-D-VS-TR
- SN74LS20NS
- SQW-110-01-F-D-VS-LC-K
- SQW-110-01-L-D-VS-LC-P
- SN74LS367ADBR
- SQW-110-01-L-D-VS-LC-TR
- SN74LS377NS
- SQW-110-01-L-D-VS-P-TR


