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SPD04P10PLGBTMA1
1个P沟道 耐压:100V 电流:4.2A
- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD04P10PLGBTMA1
- 商品编号
- C5900287
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V,2.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 372pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
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