商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽MOSFET技术-高达3 kV的ESD保护
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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