商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 35@500mA,1V | |
| 特征频率(fT) | 60MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 750mV@150mA,1.5A | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
这些功率晶体管采用PPC的双扩散平面工艺制造。该技术生产的高压器件具有出色的开关速度、频率响应、增益线性度、饱和电压、高电流增益和安全工作区。它们适用于商业、工业电源开关、放大器和调节器应用。 采用超声键合引线和可控芯片安装技术，进一步提高了这些器件的安全工作区能力和固有可靠性。温度范围可达200°C，可在高温环境下可靠运行，密封封装确保了最高的可靠性和长寿命。
商品特性
- 集电极 - 发射极维持电压：VCEO(sus) = -80 Vdc（最小值）
- 直流电流增益：hFE = 30 - 150（@ IC = 1.5 Adc）
- 低集电极 - 发射极饱和电压：VCE(sat) = -0.75 Vdc（@ IC = 1.5 Adc）
- 高电流增益 - 带宽积：fT = 90 MHz（典型值）
应用领域
- 高速开关
- 中电流开关
- 高频放大器