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SI4166DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30.5A
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- 描述
- 特性：无卤。TrenchFET功率MOSFET。100% Rg和UIS测试。应用：低侧DC/DC转换。笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4166DY-T1-GE3
- 商品编号
- C67121
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.264克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 低端DC/DC转换
- 笔记本电脑
- 游戏
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