SI4166DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30.5A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI4166DY-T1-GE3商品编号
C67121商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.264克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 30.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.9mΩ@10V,30A | |
功率(Pd) | 4.2W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 21.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.73nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 205pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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个
起订量:1 个2500个/圆盘
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