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S34MS04G200BHI000
S34MS04G200BHI000
- 描述
- Spansion SLC NAND Flash Memory系列提供1.8V供电和x8或x16 I/O接口。其NAND单元为固态存储市场提供了最具成本效益的解决方案。内存被划分为可以独立擦除的块，从而可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。
- 商品型号
- S34MS04G200BHI000
- 商品编号
- C5885258
- 商品封装
- BGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 45ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 密度：1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
- 架构：输入/输出总线宽度为 8 位/16 位
- 页面大小：
- x8：
- 1 Gbit：(2048 + 64) 字节；64 字节备用区
- 2 Gbit / 4 Gbit：(2048 + 128) 字节；128 字节备用区
- x16：
- 1 Gbit：(1024 + 32) 字；32 字备用区
- 2 Gbit / 4 Gbit：(1024 + 64) 字；64 字备用区
- x8：
- 块大小：64 页
- x8：
- 1 Gbit：(128k + 4k) 字节
- 2 Gbit / 4 Gbit：(128k + 8k) 字节
- x16：
- 1 Gbit：(64k + 2k) 字
- 2 Gbit / 4 Gbit：(64k + 4k) 字
- x8：
- 平面大小：
- x8：
- 1 Gbit：每个平面 1024 块或 (128M + 4M) 字节
- 2 Gbit：每个平面 1024 块或 (128M + 8M) 字节
- 4 Gbit：每个平面 2048 块或 (256M + 16M) 字节
- x16：
- 1 Gbit：每个平面 1024 块或 (64M + 2M) 字
- 2 Gbit：每个平面 1024 块或 (64M + 4M) 字
- 4 Gbit：每个平面 2048 块或 (128M + 8M) 字
- x8：
- 页面读取/编程：
- 随机访问：25μs（最大）(S34MS01G2)
- 随机访问：30 ~ μs（最大）(S34MS02G2, S34ML04G2)
- 顺序访问：45 ns（最小）
- 编程时间/多平面编程时间：300μs（典型）
- 块擦除 (S34MS01G2)：
- 块擦除时间：3.0 ms（典型）
- 块擦除/多平面擦除 (S34MS02G2, S34MS04G2)：
- 块擦除时间：3.5 ms（典型）
- 器件大小：
- 1 Gbit：每个器件 1 个平面或 128 M 字节
- 2 Gbit：每个器件 2 个平面或 256 M 字节
- 4 Gbit：每个器件 2 个平面或 512 M 字节
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