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NCE60TD65BT
650V、60A沟槽型FSII快速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
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- 描述
- 采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术，650V沟槽式FSII绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60TD65BT
- 商品编号
- C5883265
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 319W | |
| 输出电容(Coes) | 199pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 240A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 262nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 7.018nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 900uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 186ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 138pF |