温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR165DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:25.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。 行业领先的RDS(on)规格（截至2017年11月）。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR165DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5881317
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 516pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 575pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的ESD保护型N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 行业领先的RDS(on)规格(截至2017年11月)
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 适配器和充电器开关
- 负载开关
- 电机驱动控制
- DC/DC转换器
- 电源
- 电池管理
其他推荐