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SIR165DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:25.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。 行业领先的RDS(on)规格（截至2017年11月）。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR165DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5881317
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 516pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 575pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2000个/圆盘
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