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RT8120HGSP

单相同步降压PWM控制器

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描述: RT8120G/H 是一款单相同步降压 PWM 控制器,设计用于驱动两个 N-MOSFET。它提供高精度可编程输出电压,精确调节低电压要求,具有内部 0.8V ±1%（选项为 0.6V ±1.5%）参考电压。该控制器使用单反馈环路电压模式 PWM 控制,具有快速瞬态响应。内置开关启动二极管,固定频率 300kHz,减少外部电感和电容器件尺寸,节省 PCB 板面积。适用于高性能图形处理器、DDR 和 VTT 电源。
品牌名称: RICHTEK(立锜)
商品型号: RT8120HGSP
商品编号: C5879841
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.178克(g)

商品参数

商品概述

RT8120G/H是一款单相同步降压PWM DC-DC控制器，旨在驱动两个N-MOSFET。它提供高精度、可编程的输出电压，通过内部0.8V±1%（可选0.6V±1.5%）参考电压精确调节以满足低电压要求。RT8120G/H采用单反馈环路电压模式PWM控制，实现快速瞬态响应。固定频率为300kHz的振荡器可减小外部电感和电容元件的尺寸，从而节省PCB板面积。RT8120G/H提供快速瞬态响应，以满足大电流输出应用，同时最大限度地减少外部元件。它适用于高性能图形处理器、DDR和VTT电源。RT8120G/H集成了外部补偿误差放大器、内部软启动和输出使能功能。RT8120G/H采用SOP-8和SOP-8（外露焊盘）封装。

商品特性

宽输入电压范围：3V至13.2V
内置开关自举二极管
0.8V±1%、0.6V±1.5%内部参考电压
栅极驱动器具备直通保护和无短脉冲技术
固定频率300kHz
内部软启动
通过检测MOSFET的RDS(ON)实现过流保护
使能/关断控制
驱动两个N-MOSFET
全占空比：0%至85%
快速瞬态响应
带外部反馈环路补偿的电压模式PWM控制
无引脚LGATE过流设置（LGOCS）
欠压保护
SOP-8和SOP-8（外露焊盘）封装
符合RoHS标准且无卤

应用领域

采用5V或12V电源的系统（图形、主板）
显卡（AGP 8X、4X、PCI Express*16）
3.3V至12V输入的DC-DC稳压器
低压分布式电源

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	3V~13.2V
	输出电流	-
	开关频率	300kHz

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃@(TA)
	同步整流	是
	输出通道数	1
	拓扑结构	降压式
	开关管(内置/外置)	外置