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RJK1052DPB-00#J5

1个N沟道耐压:100V 电流:20A

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RJK1052DPB-00#J5
商品编号: C5870334
商品封装: SC-100(SOT-669)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.214906克(g)

商品参数

商品概述

采用175°C LFPAK88封装的410A连续电流、逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用恩智浦（Nexperia）独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率和低尖峰性能，但不会出现有问题的高漏电流。该ASFET特别适用于需要强大雪崩能力、线性模式性能、高开关频率使用以及在高负载电流下安全可靠开关的36V电池供电应用。

商品特性

-高速开关-可实现4.5 V栅极驱动-低驱动电流-高密度安装-低导通电阻-无铅-无卤

应用领域

-开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	55W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	29nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	4.16nF
	反向传输电容(Crss)	136pF
	工作温度	-55℃~+150℃