商品参数
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| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
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| 功能特性 | - |
商品概述
IBM微电子的1M SRAM是一种同步流水线模式、高性能的CMOS静态随机存取存储器，具有通用性强、输入输出接口宽的特点，能实现10纳秒的周期时间。使用单个时钟来启动读写操作，所有内部操作都是自定时的。在时钟上升沿，所有地址、写使能、片选和数据输入都会在内部寄存，并且在数据输出有效之前可以向芯片施加新的信号。上一周期的数据可在下一周期获取。该芯片采用单一的+3.3V电源供电，并且与LVTTL输入输出接口兼容。
商品特性
- 64K x 18结构
- 0.5微米CMOS技术
- 同步流水线操作模式
- 单一+3.3V ± 5%电源和接地
- 通用输入输出和LVTTL输入输出兼容
- 寄存地址、写使能、片选和数据输入
- 异步输出使能
- 寄存输出
- 自定时写操作
- 字节写能力
- 5V容限输入输出
- 低功耗
- 100MHz时935mW工作功耗
- 90mW待机功耗
- 7X17球栅阵列封装