RJK5030DPD-03#J2
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK5030DPD-03#J2
- 商品编号
- C5850864
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@25V |
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为20 A时，RDS(ON) < 2.8 mΩ
- 当VGS为4.5 V、ID为12 A时，RDS(ON) < 3.5 mΩ
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 反向传输电容低
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物