PXP018-30QLJ
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A 电流:19.2A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP018-30QLJ
- 商品编号
- C5848375
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A；19.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 447pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下方面： 电源管理功能 DC - DC转换器
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装(占位面积3.3 x 3.3 mm)
应用领域
-直流-直流转换器-电池管理-低端负载开关-开关电路
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