PJD85N03-AU_L2_000A1
1个N沟道 耐压:30V 电流:85A 电流:16A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD85N03-AU_L2_000A1
- 商品编号
- C5845467
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A；16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W；58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.436nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为20A时,导通电阻RDS(ON) < 3.8mΩ
- 栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为15A时,导通电阻RDS(ON) < 5.5mΩ
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 反向传输电容低
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
应用领域
- 监控电源
- 电视电源
- PD充电器