- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZVN4206GVTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:1A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVN4206GVTA
- 商品编号
- C5843418
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 重复雪崩额定值
- 无需瞬态保护
- 具备5V逻辑驱动特性
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-汽车继电器驱动器-步进电机驱动器
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