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ZVN4206GVTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:1A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVN4206GVTA
- 商品编号
- C5843418
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 静电放电保护
- 专为继电器驱动、高速线路驱动等设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC61249标准的绿色模塑料
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