P3M12160K4
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:19A
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- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M12160K4
- 商品编号
- C5840348
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 192mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.016nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NP109N04TUK是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 高阻断电压,低导通电阻
- 高频操作
- 超小栅漏电荷(Qgd)
- 100%进行单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车电池充电器
- 高压直流-直流转换器
- 开关电源
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