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XPH6R30ANB,L1XHQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.3 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VDM = 2.5至3.5V (VDS = 10V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPH6R30ANB,L1XHQ
- 商品编号
- C5838013
- 商品封装
- SOIC-8-5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.27nF |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 小型薄封装
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强模式:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 汽车领域
- 电机驱动器
- 开关稳压器
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