NP110N055PUJ-E1B-AY
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP110N055PUJ-E1B-AY
- 商品编号
- C5833701
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W；288W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5nF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
- 镀锡侧焊盘，100%可焊，便于光学焊接检测
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。