商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 600W |
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 170 V
- 适用于2 - 100MHz工作频率
- 在30MHz、50V条件下,输出功率600W,典型增益17dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供配对产品
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)可达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 经济型无凸缘封装
- 难熔镀金工艺
- 可替代MRF154的高压晶体管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
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