- 引脚图
- 焊盘图
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W25R256JVFIQ TR
W25R256JVFIQ TR
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W25R256JVFIQ TR
- 商品编号
- C5830903
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
W25R256JV 是一款 256M 位串行闪存，为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。该系列提供了超越常规的灵活性和性能。
商品特性
- 支持标准、双线和四线 SPI，时钟频率高达 133MHz
- 支持 RPMC 功能
- 单电源供电，电压范围为 2.7V 至 3.6V
- 提供 8 焊盘 WSON 8×6mm 和 16 引脚 SOIC 300-mil 封装选项
- 低功耗：工作电流低至 15mA（133MHz 四线读取时），待机电流低至 25μA，深度掉电电流低至 1μA
- 灵活的 4KB 扇区架构，支持统一的 4KB 扇区擦除、32KB 和 64KB 块擦除以及全芯片擦除
- 每个扇区/块可进行 100,000 次编程/擦除循环
- 数据保存期限超过 20 年
- 超过 4KB 的 SRAM 写缓冲区，支持高效编程
- 支持软件和硬件写保护
- 支持可编程写保护：顶部/底部块保护、互补保护、单独块锁定
- 支持可编程和可锁定的安全寄存器
- 支持可选的 3 字节或 4 字节寻址模式
- 支持可选的输出驱动强度
- 支持可选的突发读取换行功能
- 支持可选的快速读取双路/四路 I/O 和字/八字读取四路 I/O 模式
- 支持 JEDEC 标准 SFDP
- 支持复位功能
- 支持擦除/编程暂停和恢复
- 每个器件具有 64 位 ID
- 所有封装均符合 RoHS 标准