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PJQ4414P_R2_00001实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJQ4414P_R2_00001

1个N沟道 耐压:30V 电流:8A 电流:25A

品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJQ4414P_R2_00001
商品编号
C5828560
商品封装
DFN3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.107克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25A;8A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W;21W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)4.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)392pF
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算机、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。

商品特性

  • 当VGS为10V、ID为9A时,RDS(ON) < 18mΩ
  • 当VGS为4.5V、ID为4.5A时,RDS(ON) < 28mΩ
  • 开关速度快
  • 改善了dv/dt能力
  • 栅极电荷低
  • 反向传输电容低
  • 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
  • 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物

应用领域

  • 开关电源

数据手册PDF