P3M06060K4
1个N沟道 耐压:650V 电流:48A
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- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M06060K4
- 商品编号
- C5823476
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@15V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.853nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小型单 MOSFET
- VDS = 30 V，ID = 5.8 A
- 在 VGS = 10 V 时，RDS(导通) < 36 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V 时，RDS(导通) < 45 mΩ
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术