- 引脚图
- 焊盘图
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GS61008P-TR
GS61008P-TR
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- 品牌名称
- GaN systems
- 商品型号
- GS61008P-TR
- 商品编号
- C5822057
- 商品封装
- SMD,7.6x4.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ |
商品概述
GS61008P 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高击穿电压和高开关频率。该产品采用了创新的岛式技术和 GaNPX 封装。岛式技术单元布局实现了高电流芯片和高良率。GaNPX 封装在小型封装内实现了低电感和低热阻。GS61008P 是一款底部冷却型晶体管，为要求严苛的高功率应用提供了极低的结壳热阻。这些特性共同提供了极高效率的功率开关。
商品特性
- 100 V增强模式功率晶体管
- 底部冷却配置
- RDS(on) = 7 mΩ
- IDS(max) = 90 A
- 超低优值芯片
- 低电感 GaNPX 封装
- 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V）
- 瞬态耐受栅极驱动（-20 V / +10 V）
- 极高的开关频率（> 10 MHz）
- 快速且可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小巧的 7.6 × 4.6 mm² PCB 占板面积
- 源极检测引脚，用于优化栅极驱动
- 符合 RoHS 3 (6 + 4) 标准
应用领域
- 储能系统
- AC-DC 转换器（次级侧）
- 不间断电源
- 工业电机驱动
- 快速电池充电