- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
V30KM100HM3/I
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 正向压降(Vf) | 810mV@30A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 4.4A | |
| 反向电流(Ir) | 300uA@100V | |
| 工作结温范围 | -40℃~+165℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 240A |
商品概述
高电流密度表面贴装（TMBS）沟槽MOS势垒肖特基整流器，在IF = 5A时，超低VF = 0.39V
商品特性
- 沟槽MOS肖特基技术
- 低正向压降，低功率损耗，高效运行
- 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，LF最大峰值温度为260°C
- 可提供AEC - Q101认证
- 汽车订购代码：基础产品编号HM3
应用领域
用于低压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用
- V30KM120-M3/I
- NAH-10-331
- MWSD1005C10NHTM81
- NAH-16-000
- MWSD1005C13NHT
- NAH-16-221
- V320LS10P
- MWSD1005C13NHTM81
- NAH-16-332-D
- MWSD1005C16NHTM81
- NAH-16-472
- V351A80B-ARC00-000
- NAH-20-221-D
- MWSD1005C17NKTM81
- MWSD1005C18NGTM81
- MWSD1005C19NHTM81
- V4D1AN0B-AEC00-000
- MWSD1005C1N3CTM11
- V4D1AT0B-00000-000
- MWSD1005C1N5STM81
- MWSD1005C1N8BTM81