MVR2N2222AUB/TR
MVR2N2222AUB/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MVR2N2222AUB/TR
- 商品编号
- C5819621
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100@150mA,10V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@50mA,500mA | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
这款RHA级高速开关NPN晶体管2N2222A采用UB或UBC陶瓷封装，非常适合驱动众多高可靠性应用。该器件按照JANTXV性能等级制造和筛选，对所有管芯批次进行辐射测试方法1019晶圆批次验收。完全符合GSFC EEE-INST-002对项目的可靠性、筛选和抗辐射保证要求。
商品特性
- JEDEC注册型号2N2222
- 按照MIL-PRF-19500进行总电离剂量（TID）水平筛选
- 也可提供0.01 Rad(s)/sec的低剂量率辐射效应（ELDRS）测试
- 提供颗粒碰撞噪声检测（PIND）测试选项
- 提供MKCR/MHCR芯片管芯
- 通过0.1 Rad (SI)/sec剂量率的低剂量率辐射效应（ELDR）进行逐批抗辐射保证（RHA）验证测试
应用领域
- 抗辐射电源
- 抗辐射电机控制
- 通用开关
- 仪表放大器
- 卫星电源系统（EPS）开关电源应用
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