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50N06(TO-252)

1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

描述
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A适用于电源开关和信号控制
商品型号
50N06(TO-252)
商品编号
C5818970
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3795克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

MSCSM120SKM31CTBL1NG器件是一款1200 V、79 A的降压斩波碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。

商品特性

  • 100% 雪崩能量耐量(EAS)保证
  • 提供绿色环保器件
  • 超低栅极电荷
  • 出色的 CdV/dt 效应抑制
  • 先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

  • 高可靠性电源系统
  • 高效AC/DC和DC/AC转换器
  • 电机控制

数据手册PDF