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50N06(TO-252)实物图
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50N06(TO-252)

1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

描述
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A适用于电源开关和信号控制
商品型号
50N06(TO-252)
商品编号
C5818970
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3795克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)930pF@25V
反向传输电容(Crss)8pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

MSCSM120SKM31CTBL1NG器件是一款1200 V、79 A的降压斩波碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。

商品特性

  • 碳化硅功率MOSFET
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 高速开关
  • 碳化硅肖特基二极管
  • 零反向恢复
  • 零正向恢复
  • 开关特性不受温度影响
  • 正向电压VF具有正温度系数
  • 极低的杂散电感
  • 超轻重量和超薄外形
  • 开尔文源极,便于驱动
  • 采用厚铜Si₃N₄基板,提升热性能
  • 内置热敏电阻,用于温度监测
  • 宽温度范围

应用领域

  • 高可靠性电源系统
  • 高效AC/DC和DC/AC转换器
  • 电机控制

数据手册PDF