NP34N055SLE-E1-AY
1个N沟道 耐压:55V 电流:34A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP34N055SLE-E1-AY
- 商品编号
- C5816737
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 88W；1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
商品概述
NTE2380（N沟道）和NTE2381（P沟道）是采用TO220封装的互补型TMOS功率场效应晶体管，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、转换器、螺线管和继电器驱动器。
商品特性
- 硅栅极，实现快速开关速度
- 坚固耐用 - 安全工作区受功率耗散限制
- 源极至漏极二极管特性适用于感性负载
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高等级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。