US5U30TR
1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- US5U30TR
- 商品编号
- C5815117
- 商品封装
- TUMT5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF |
商品概述
15N10是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- US5U30将P沟道MOSFET与肖特基势垒二极管集成于一体
- 高速开关、低导通电阻
- 低电压驱动(2.5V驱动)
- 内置低正向压降(VF)肖特基势垒二极管
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
应用领域
- 开关
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