US5U30TR
1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- US5U30TR
- 商品编号
- C5815117
- 商品封装
- TUMT5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF@10V |
商品概述
15N10是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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