UF4C120070K4S
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:27.5A
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- 品牌名称
- Qorvo
- 商品型号
- UF4C120070K4S
- 商品编号
- C5814907
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 91mΩ@12V | |
| 耗散功率(Pd) | 217W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.8nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
UF4C120070K4S是一款1200V、72mΩ的G4碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）。它基于独特的“共源共栅”电路配置，将常开型碳化硅结型场效应晶体管（JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）共同封装，形成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，可真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）、硅场效应晶体管、碳化硅MOSFET或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 4L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻RDS(on):72mΩ(典型值)
- 工作温度:175℃(最大值)
- 出色的反向恢复:Qrr = 119 nC
- 低体二极管VFSD:1.43V
- 低栅极电荷:QG = 37.8 nC
- 阈值电压VG(th):4.8V(典型值),允许0至15V驱动
- 低本征电容
- 静电放电(ESD)保护:人体模型(HBM)2级和带电器件模型(CDM)C3级
- TO - 247 - 4L封装,实现更快的开关速度和干净的栅极波形
应用领域
-电动汽车充电-光伏逆变器-开关模式电源-功率因数校正模块-电机驱动器-感应加热