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YJG60G10BQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。采用高密度单元设计，实现低导通电阻。后缀为“Q”的产品表示通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJG60G10BQ
- 商品编号
- C5811312
- 商品封装
- PDFN-8L(5.9x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2002克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@13V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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