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IRS44273LTRPBF
2A单通道低侧同相栅极驱动芯片
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- 描述
- 单通道低侧同相栅极驱动芯片含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRS44273LTRPBF
- 商品编号
- C5804636
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037861克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 5V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 180uA |
商品概述
一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在 -40°C至125°C温度范围内工作
商品特性
- CMOS施密特触发输入
- 输入输出同相位
- 兼容3.3V输入逻辑
- 工作范围：5V~25V
- 高电容负载驱动能力：在1nF负载时，开关时间 < 100ns
- 宽温度范围： -40°C~125°C
- 欠压锁定
- 欠压锁定正向阈值4.0V
- 欠压锁定负向阈值3.9V
- 芯片开通/关断延时特性：Ton/Toff = 50ns/50ns
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 2A/2A
- 符合RoSH标准
- SOT23 - 5
应用领域
- 交换式电源
- 开关变换器通用栅驱动器
- 驱动MOSFETs和IGBTs
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