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IS61WV5128FBLL-10TLI
512Kx8高速异步CMOS静态RAM
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- 描述
- IS61/64WV5128FALL/FBLL是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器（SRAM），其结构为512K字×8位。该产品采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS61WV5128FBLL-10TLI
- 商品编号
- C5803539
- 商品封装
- TSOP-44-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 35mA | |
| 待机电流 | 10mA |
优惠活动
购买数量
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