N0301N-T1-AT
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,2.25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@24V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速开关时间
- 符合 RoHS 标准（无豁免项）
- 符合 REACH 法规、无冲突矿物
- 快速开关时间
- 符合 RoHS 标准（无豁免项）
- 符合 REACH 法规、无冲突矿物
应用领域
- 信号处理
- 电池管理
- 驱动器
- 逻辑电平转换器
- 信号处理
- 电池管理
- 驱动级
- 逻辑电平转换器
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