MPLAD30KP33CAE3/TR
MPLAD30KP33CAE3/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MPLAD30KP33CAE3/TR
- 商品编号
- C5800555
- 商品封装
- PLAD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 33V | |
| 钳位电压 | 53.3V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 564A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30kW@10/1000us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 36.7V | |
| 反向电流(Ir) | 10uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
这些额定功率为30千瓦的瞬态电压抑制器采用表面贴装PLAD封装,设计特点旨在最小化热阻和累积发热。这些器件能够钳制危险的高压、短期瞬态,例如静电放电、辐射射频干扰、感性负载突降以及雷击的次级效应,防止其到达电路的敏感元件区域。全金属底部为热量逃逸至安装基板提供了极低的热阻路径,从而保持较低的结温。PLAD30KP提供14至400伏的关断电压,有单向或双向版本可选。
商品特性
- 提供单向和双向结构
- 对所有M前缀器件进行待机电流的3σ批次常规筛选
- 所有M前缀器件具有晶圆制造和组装批次可追溯性
- 器件经过100%浪涌测试
- 在10/1000微秒脉冲下可抑制高达30,000瓦的瞬态
- 湿度敏感等级为1级,根据IPC/JEDEC J-STD-020F标准无需干燥包装
- 提供符合RoHS标准的版本
应用领域
- 提供14至400伏的工作关断电压范围
- 防止开关瞬态和感应射频干扰
- 根据IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4标准,提供静电放电和电快速瞬变脉冲群保护
- 根据IEC 61000-4-5标准,提供次级雷击保护
- MPLAD30KP400CAE3/TR
- MW-45-03-G-D-160-075-ES-A
- MTSW-136-10-G-S-345
- MW-50-03-F-D-118-150-P
- MTSW-136-10-T-Q-100-RA
- MW-50-03-F-D-220-075-P-TR
- MTSW-136-10-T-S-090
- MW-50-03-G-D-120-145
- MW-50-03-G-D-140-075-P
- MTSW-136-11-G-S-600
- MW-50-03-G-D-150-065
- MW-50-03-G-D-245-065-ES-A
- MTSW-136-11-G-S-740
- MTSW-136-11-T-S-394
- MTSW-136-11-T-S-430
- MTSW-136-11-T-S-690
- MWE6IC9100NR1
- MWLA0402S-1R5MT
- MWLA0402S-R68MT
- MTSW-136-12-G-S-620
- MWLA0603S-R20MT

