MPLAD30KP33CAE3/TR
MPLAD30KP33CAE3/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MPLAD30KP33CAE3/TR
- 商品编号
- C5800555
- 商品封装
- PLAD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 33V | |
| 钳位电压 | 53.3V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 564A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30kW@10/1000us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 36.7V | |
| 反向电流(Ir) | 10uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
这些额定功率为30kW的瞬态电压抑制器（TVS）采用表面贴装PLAD封装，其设计特点是可将热阻和累积热量降至最低。这些器件能够在危险的高压、短期瞬态（如静电放电、辐射射频干扰、感性负载突降以及雷击的二次效应所产生的瞬态）到达电路的敏感元件区域之前将其钳位。典型应用包括雷击和汽车负载突降保护。它们在满足飞机设计的多冲程雷击标准RTCA DO - 160第22节方面特别有效。这种节省空间、薄型封装的全金属底部为热量向安装基板散发提供了极低的热阻路径，从而保持较低的结温。PLAD30KP提供14至400伏的关断电压（VWM），有单向和双向两种版本。如需了解PLAD封装产品和广泛的TVS解决方案的更多信息，请访问Microchip网站。
商品特性
- 提供单向和双向结构（双向版本后缀为CA）
- 对所有M前缀器件的待机电流（ID）进行3σ批次规范筛选
- 所有M前缀器件通过晶圆制造和组装批次可追溯性实现高可靠性
- 器件经过100%浪涌测试
- 在10/1000 μs时可抑制高达30,000W的瞬态（见图4 - 1）
- 可提供参照MIL - PRF - 19500的增强可靠性筛选。有关筛选选项的更多详细信息，请参考高可靠性非密封产品组合
- 根据IPC/JEDEC J - STD - 020F，湿度等级为1级，无需干燥包装
- 提供符合RoHS标准的版本
应用领域
- 工作关断电压（VWM）范围为14至400伏
- 防止开关瞬态和感应射频干扰
- 根据IEC 61000 - 4 - 2和IEC 61000 - 4 - 4防止静电放电和电快速瞬变
- 根据IEC 61000 - 4 - 5，在42欧姆源阻抗下提供二次雷击保护
- 根据RTCA/DO - 160F，对波形4（25°C时6.4/69 μs）提供引脚注入保护