MMIX1F40N110P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 19nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接敷铜基板（DCB）上的硅芯片
- 隔离基板
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- 高隔离电压（2500V 以上）
- 低本征栅极电阻
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)）和栅极电荷（QG）
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-脉冲功率应用-激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的放电电路-DC-DC 转换器-DC-AC 逆变器
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