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TCK421G,L3F
过压保护MOSFET栅极驱动IC
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- 描述
- TCK42xG 系列是用于外部 N 沟道 MOSFET 的过压保护栅极驱动 IC。该产品支持 MOSFET 在 2.7 V 至 28 V 的宽电压线路中工作，并具备多种过压锁定配置。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TCK421G,L3F
- 商品编号
- C5797468
- 商品封装
- WCSPG-6(0.8x1.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 2.7V~28V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护；过压保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.2V~5.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 400mV | |
| 静态电流(Iq) | 140uA |
商品概述
TCK42xG系列是用于外部N沟道MOSFET的过压保护栅极驱动IC。该产品支持MOSFET在2.7 V至28 V的宽电压线路中运行，并具备多种过压锁定配置。其特性包括低待机电流（小于1 μA）、内置电荷泵电路和MOSFET栅源保护电路。封装采用非常小巧轻薄的WCSP6G（典型尺寸为1.2 mm×0.8 mm，最大厚度为0.35 mm）。因此，它适用于移动设备、可穿戴系统以及负载开关应用等电源管理电路。
商品特性
- 用于N沟道共漏MOSFET的栅极驱动器
- 用于N沟道单高端MOSFET的栅极驱动器
- 高最大输入电压：V_IN_max = 40 V
- 宽输入电压工作范围：V_IN = 2.7至28 V
- 栅源保护电路
- 过压锁定：V_IN_OVLO典型值为6.31 V、10.83 V、14.29 V、23.26 V和27.73 V
- 欠压锁定：V_IN_UVLO典型值为2.0 V
- 内置电荷泵电路：栅源电压V_GS典型值为5.6 V和10 V
- 低待机电流：在V_IN = 12 V时，I_Q(OFF)最大为0.9 μA（TCK424G和TCK425G除外）
应用领域
- 用于移动设备、可穿戴设备和物联网设备的负载开关电路
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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