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INN150FQ032A
*半导体*晶体管
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- 描述
- 基于硅的增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用4.0 mm x 6.0 mm FCQFN封装。
- 商品型号
- INN150FQ032A
- 商品编号
- C5794703
- 商品封装
- FCQFN-25(4x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 900pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ |
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