T1090P6-SD-F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 光电晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 暗电流 | 50nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值波长 | 840nm | |
| 视角 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
T1090P6是一款具有高辐射灵敏度的硅NPN光电晶体管芯片，对可见光和近红外辐射敏感。
商品特性
- 封装类型：芯片P
- 封装形式：单芯片Pb-f
- 尺寸（长×宽×高，单位：mm）：0.52×0.52×0.185
- 高光敏度
- 辐射敏感面积：0.14 mm² Roh COMPL
- 高辐射灵敏度HALO FRI
- 适用于可见光和近红外辐射GRE
- 快速响应时间[5 - 20
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