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MT54V512H18EF-6C

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT54V512H18EF-6C
商品编号: C5784878
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

美光QDR（四倍数据速率）同步流水线突发静态随机存取存储器采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的6T CMOS工艺。QDR架构由两个独立的DDR（双倍数据速率）端口组成，用于访问存储阵列。读端口有专用数据输出支持读操作，写端口有专用数据输入支持写操作，这种架构无需高速总线转换。通过公共地址总线访问每个端口，读写地址在K输入时钟的交替上升沿锁存。每个地址位置关联四个18位字，它们按顺序突发进出设备。由于数据可在两个时钟（K、K#、C和C#）的每个上升沿进出设备，因此在简化系统设计的同时最大化了内存带宽。深度扩展通过每个端口的端口选择（读R#、写W#）实现，这些选择在K上升沿接收。端口选择允许独立端口操作。所有同步输入通过由K或K#输入时钟上升沿控制的寄存器。低电平有效字节写（BW0#、BW1#）允许字节写选择。写数据和字节写在K和K#的上升沿寄存。每四个突发内的寻址是固定且顺序的。所有同步数据输出通过由输出时钟（如果提供C和C#，否则为K和K#）上升沿控制的输出寄存器。四个引脚用于实现JTAG测试功能：测试模式选择（TMS）、测试数据输入（TDI）、测试时钟（TCK）和测试数据输出（TDO）。JTAG电路用于与SRAM串行移位数据。JTAG输入在测试操作模式下使用JEDEC标准2.5V I/O电平来移位数据。SRAM由+2.5V电源供电，所有输入和输出与HSTL兼容。该设备非常适合受益于高速全利用DDR数据总线的应用。

商品特性

9Mb密度（512K x 18）
独立的读写数据端口，支持并发事务
100%总线利用率的DDR读写操作
高频操作，可向更高时钟频率迁移
时钟到有效数据时间快
全数据一致性，提供最新数据
四节拍突发计数器，降低地址频率
读写端口双倍数据速率操作
两个输入时钟（K和K#），仅在时钟上升沿实现精确DDR定时
两个输出时钟（C和C#），用于精确飞行时间和时钟偏斜匹配，时钟和数据一起传送到接收设备
单地址总线
简单控制逻辑，便于深度扩展
内部自定时、寄存写操作
+2.5V核心和HSTL I/O
时钟停止功能
13mm x 15mm、1mm间距、11 x 15网格FBGA封装
用户可编程阻抗输出
JTAG边界扫描

应用领域

高速数据处理
网络通信
数据存储
服务器
高性能计算

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	存储容量	9Mbit
	工作电压	2.4V~2.6V

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能