- 引脚图
- 焊盘图
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IGI60L5050A1MXUMA1
IGI60L5050A1MXUMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGI60L5050A1MXUMA1
- 商品编号
- C5772474
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 700mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 |
商品概述
该器件集成了一个由两个500 mΩ（典型值Rds(on)） / 600 V增强型CoolGaN™ HEMT组成的半桥功率级以及集成栅极驱动器，封装于小型6×8 mm TFLGA-27封装内。在中低功率领域，它非常适合用于支持高密度电机驱动器和开关电源的设计，充分利用CoolGaN™功率开关的卓越开关性能。CoolGaN™及相关功率开关提供了非常强健的栅极结构。当在“导通”状态下由几mA的连续栅极电流驱动时，始终能保证最低的导通电阻Rds(on)。由于GaN固有的低阈值电压和快速开关瞬态，在某些应用中需要负栅极驱动电压，以实现快速关断并避免直通效应。这可以通过驱动器和开关之间众所周知的RC接口实现。少数几个外部SMD电阻和电容即可轻松适应不同的功率拓扑。该驱动器采用SOI技术，实现了出色的强健性和抗噪能力，并能在负栅极电压下维持逻辑操作。浮空通道可用于驱动高侧GaN芯片，并采用集成自举配置。
商品特性
- 两个500 mΩ GaN开关组成半桥配置，集成高侧和低侧栅极驱动器
- 源极/灌极驱动电流为+0.29 A / -0.7 A
- 应用可配置的导通和关断速度
- 集成超快低阻值自举二极管
- 快速的输入至输出传播（典型值98 ns），通道间失配极小
- 标准逻辑输入电平，兼容数字控制器
- 单栅极驱动器电源电压（典型值12 V），具有快速UVLO恢复
- 低侧开漏输出，用于配合外部分流电阻进行电流检测
- 热增强型6×8 mm TFLGA-27封装
- 产品完全符合JEDEC工业应用标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- 低功率电机驱动
- 低功率开关电源