STW21N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:17A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW21N65M5
- 商品编号
- C5762566
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 175°C MOSFET
- 4.5V驱动
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65 mΩ（典型值）（@VGS = 4.5V）；RDS(ON) = 51 mΩ（典型值）（@VGS = 10V）
应用领域
- 电源管理开关-DC-DC转换器
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