商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 386pF |
商品概述
这些器件采用 SuperMESH3 功率 MOSFET 技术制造,该技术是通过对意法半导体(STMicroelectronics)的 SuperMESH 技术进行改进,并结合新的优化垂直结构而获得的。由此得到的产品具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其特别适用于要求最苛刻的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- STP3N62K3
- STU3N62K3
- HS50E3 1R F M145
- HS50E3 2R2 F M145
- SVC75C3D07B2-122.880M
- HTSW-101-14-L-D
- HS50F 12R F 200MM M404
- SVC75C3D07B2-50.000M
- STR5.0LF200QG
- HTSW-101-23-F-S
- HTSW-101-23-H-S
- STR5100SS_AY_00301
- SVC75C3D07C2-10.000M
- SVC75C3D07C2-122.880M
- STS1024S1V5-TR
- SVC75C3D16A2-100.000M
- HS50F 27R F 200MM M404
- HTSW-101-23-T-D
- STS7.0LF200QG
- HS50F 4R F 200MM M404
- HS50F 6R F 200MM M404