STP3LN62K3
1个N沟道 耐压:620V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP3LN62K3
- 商品编号
- C5762527
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 386pF |
商品概述
这些器件采用 SuperMESH3 功率 MOSFET 技术制造，该技术是通过对意法半导体（STMicroelectronics）的 SuperMESH 技术进行改进，并结合新的优化垂直结构而获得的。由此得到的产品具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其特别适用于要求最苛刻的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用